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【MEMS工藝】揭秘RDL工藝——重塑芯片I/O布局

點(diǎn)擊量:1854 日期:2024-11-07 編輯:硅時代

RDL(Redistribution Layer,重布線層)工藝在先進(jìn)封裝領(lǐng)域發(fā)揮越來越重要的作用。它不僅優(yōu)化了芯片的I/O布局,提高了數(shù)據(jù)傳輸效率,還為芯片的小型化、集成化提供了有力支持。未來,隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等技術(shù)的持續(xù)發(fā)展,對芯片性能的要求將越來越高,RDL工藝也將面臨更多的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。那么你知道RDL工藝是如何在微縮化的芯片世界中,巧妙地重新布局I/O焊盤,實(shí)現(xiàn)高性能與高可靠性的雙重飛躍嗎?

一、RDL重塑I/O的未來

     RDL這個看似簡單的縮寫背后,承載著半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的一次革命性變革。在追求更高集成度、更快數(shù)據(jù)傳輸速度的今天,RDL工藝將芯片的I/O焊盤從密集的中心區(qū)域遷移至邊緣,并在更廣闊的空間內(nèi)重新分布。這一創(chuàng)新不僅極大地緩解了I/O端口擁擠的問題,更為先進(jìn)封裝技術(shù)如3D封裝、扇出型封裝(FOWLP)等提供了強(qiáng)有力的支持,使得芯片能夠擁有更多的I/O數(shù)量,從而滿足日益增長的數(shù)據(jù)傳輸需求。

 

二、I/O數(shù)量是速度與效率的雙重考量

     I/O數(shù)量是衡量芯片與外界通信能力的關(guān)鍵指標(biāo),直接關(guān)乎到芯片的數(shù)據(jù)吞吐量與處理速度。想象一下,一個擁有眾多I/O端口的芯片,就像是一個四通八達(dá)的交通樞紐,能夠同時處理來自多個方向的數(shù)據(jù)流,實(shí)現(xiàn)信息的快速交換與處理。因此,隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、人工智能等技術(shù)的蓬勃發(fā)展,對芯片I/O數(shù)量的需求也在不斷攀升。RDL工藝正是在這一背景下應(yīng)運(yùn)而生,它通過優(yōu)化I/O布局,讓芯片在有限的面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)傳輸效率。

三、RDL究竟是什么材質(zhì)?

     RDL的構(gòu)造并非隨意為之,而是經(jīng)過精心設(shè)計(jì)的材料組合。阻擋層通常采用Ti/Cu(鈦/銅)結(jié)構(gòu),鈦層作為緩沖層,能夠有效防止銅原子向鈍化層擴(kuò)散,同時增強(qiáng)銅層與鈍化層之間的粘附力;銅層則作為電鍍的種子層,為后續(xù)的電鍍工藝提供堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)?;ヂ?lián)材料選用導(dǎo)電性能優(yōu)異的銅,確保信號在RDL中的高效傳輸。而介質(zhì)材料則多采用聚酰亞胺(PI),以其良好的絕緣性、耐熱性和機(jī)械強(qiáng)度,為RDL提供必要的保護(hù)與支撐。


四、RDL工藝流程詳解

     晶圓清洗

 晶圓清洗是RDL工藝的第一步,通過物理和化學(xué)方法去除晶圓表面的雜質(zhì)和顆粒,為后續(xù)的工藝步驟創(chuàng)造一個干凈、無污染的工作環(huán)境。這一步驟對于提高光刻膠和金屬沉積層的附著性至關(guān)重要。

PI-1 Litho(第一層PI光刻)

在這一步中,利用PSPI(光敏性聚酰亞胺)光刻工藝,在晶圓上精確地制作出第一層鈍化層(PI-1)的圖案。PSPI作為一種高性能的光刻材料,能夠在紫外光照射下發(fā)生化學(xué)變化,從而實(shí)現(xiàn)圖案的精確轉(zhuǎn)移。這一過程為后續(xù)的金屬沉積提供了必要的保護(hù)屏障。

Ti/Cu Sputtering(鈦/銅濺射沉積)

緊接著,進(jìn)行鈦/銅濺射沉積,形成底部金屬層(UBM)。鈦層作為緩沖層,能夠有效隔離銅層與鈍化層之間的直接接觸,防止銅原子擴(kuò)散;而銅層則作為電鍍的種子層,為后續(xù)的電鍍工藝提供了均勻的基底。

PR-1 Litho(第一層光刻膠光刻)

 在UBM層上涂布一層光刻膠,然后通過曝光和顯影工藝,精確地定義出RDL的圖案。這一層光刻膠就像一張精密的“地圖”,指引著銅電鍍的方向,保護(hù)著不需要電鍍的區(qū)域,同時在需要電鍍的區(qū)域暴露出銅層。

銅電鍍(Cu Plating)

在光刻膠露出的區(qū)域進(jìn)行銅電鍍,形成RDL的導(dǎo)電層。這一步驟是RDL工藝的核心,通過電鍍的方式將銅沉積在暴露的UBM層上,形成連接芯片的焊盤和封裝外部引腳的導(dǎo)電通道。

光刻膠去除(PR Strip)

電鍍完成后,需要去除光刻膠,以便進(jìn)行后續(xù)的工藝步驟。這一步通常采用化學(xué)方法,將光刻膠從晶圓表面剝離。

UBM層蝕刻(UBM Etching)

采用濕法刻蝕技術(shù),去除不需要的UBM層,只保留在RDL電鍍區(qū)域下方的UBM層。這一步驟確保了RDL結(jié)構(gòu)的精確性和完整性。

PI-2 Litho(第二層PI光刻)

 最后,進(jìn)行第二層PI光刻,為RDL提供額外的保護(hù)。這一層PI層不僅增強(qiáng)了RDL的機(jī)械強(qiáng)度,還提高了封裝的可靠性,確保芯片在惡劣環(huán)境下仍能穩(wěn)定工作。 

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